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[전자] [기초 전자工學 실험] 다이오드 실험 결과 레포트

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[기초 전자工學 실험] 다이오드 실험 결과 레포트


기본으로 전압, 전류, 저항을 측정(測定) 할 수 있고, 그 외에 주파수, 다이오드, 온도,캐패시턴스 등 많은 부가 측정(測定) 모드를 갖추고 있다아 측정(測定) 원리는 옴의 법칙을 따른다.


실리콘과 게르마늄 다이오드의 特性(특성)을 익힌다.
역방향 바이어스 영역에서 역포화 전류는 0V에서 제너전위까지 거의 일정하다.

공급기 : 직류전원 공급기



계측 장비 : DMM

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전자실험 레포트 실험 결과레포트 기초전자고찰
- 실리콘과 게르마늄의 다이오드의 문턱 전압을 측정(測定) 한다.
(2) Si, Ge 다이오드
3. 이론 개요
레포트 > 공학,기술계열
순방향 바이어스 영역에서 전류는 다이오드 전압이 증가함에 따라 급격히 증가하는데, 1V 이하의 순방향 바이어서 전압에서 거의 수직으로 증가한다.

2. test(실험) 장비


[기초 전자공학 실험] 다이오드 실험 결과 레포트 기본적인 내용이 모두 들어가 있으며 풍부한 양의 고찰을 적었습니다.
1. test(실험) 목적

다이오드 Si(1개), Ge(1개)


부품 : 저항 1KΩ(1개), 1MΩ(1개)
설명

순서
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점화전위 또는 문턱전압은 곡선에 접하는 직선의 연장으로 수평축에서 만나는 점, VT이다. 또한 저항을 측정(測定) 함으로써 순방향과 역방향을 구분할 수 있다아

(1) DMM
- 다이오드의 순방향 및 역방향의 전압-전류 特性(특성)을 이해한다.



다.

기본적인 내용이 모두 들어가 있으며 풍부한 양의 고찰을 적었습니다. DMM으로 다이오드의 상태를 알 수 있는데, 순방향 바이어스에 연결되면, 2mA 근처의 전류에서 다이오드에 나타나는 순방향 전압을 표기하고, 역방향 바이어스에 연결되면, 개방회로임을 보여주는 OL이 나타난다.

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